스퍼터링 타겟 제품에 대해서는 많은 사용자들이 들어봤을 텐데, 스퍼터링 타겟의 원리는 비교적 생소할 것입니다.이제 편집자는풍부한 특수 소재(RSM) 스퍼터링 타겟의 마그네트론 스퍼터링 원리를 공유합니다..
스퍼터링된 타겟 전극(음극)과 양극 사이에 직교 자기장과 전기장이 추가되고, 필요한 불활성 가스(일반적으로 Ar 가스)가 고진공 챔버에 채워지며, 영구 자석은 250~350 가우스 자기장을 형성합니다. 타겟 데이터의 표면과 직교 전자기장은 고전압 전기장으로 형성됩니다.
전기장의 영향으로 Ar 가스는 양이온과 전자로 이온화됩니다.특정 음의 고전압이 대상에 추가됩니다.타겟 극에서 방출된 전자에 대한 자기장의 영향과 작동 가스의 이온화 확률이 증가하여 음극 근처에 고밀도 플라즈마가 형성됩니다.로렌츠 힘의 영향으로 Ar 이온은 타겟 표면으로 가속되어 매우 빠른 속도로 타겟 표면에 충격을 가합니다. 타겟에 스퍼터링된 원자는 운동량 변환 원리를 따르며 높은 운동 에너지로 타겟 표면에서 기판으로 날아갑니다. 필름을 입금합니다.
마그네트론 스퍼터링은 일반적으로 지류 스퍼터링과 RF 스퍼터링의 두 가지 유형으로 구분됩니다.지류 스퍼터링 장비의 원리는 간단하며 금속을 스퍼터링할 때 속도도 빠릅니다.RF 스퍼터링이 널리 사용됩니다.전도성 물질을 스퍼터링하는 것 외에도 비전도성 물질을 스퍼터링할 수도 있습니다.동시에 반응성 스퍼터링을 수행하여 산화물, 질화물, 탄화물 및 기타 화합물의 재료를 준비합니다.RF 주파수가 증가하면 마이크로파 플라즈마 스퍼터링이 됩니다.현재는 전자 사이클로트론 공명(ECR) 마이크로파 플라즈마 스퍼터링이 일반적으로 사용됩니다.
게시 시간: 2022년 5월 31일